賽晶擁有國內(nèi)稀缺、國際領(lǐng)先的自主芯片技術(shù)。芯片產(chǎn)品采用賽晶精細(xì)溝槽技術(shù)、微溝槽技術(shù)以及碳化硅 (SiC) 技術(shù)，涵蓋中壓750V、1200V、1700V 三大電壓平臺(tái)。
旗下IGBT、SiC模塊產(chǎn)品包括：ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、FP封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊，廣泛應(yīng)用于輸配電、新能源、儲(chǔ)能、交通、工業(yè)等領(lǐng)域。
我們的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，由來自歐洲及國內(nèi)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有優(yōu)秀業(yè)績，及幾十年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者組成。